生产碳化硅的设备

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限，适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将

首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做

2020年10月21日碳化硅材料整线关键工艺设备共22种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。碳化硅半导体产业发展现状

造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

2023年5月21日造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？中国粉体网讯碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。其中，设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。事实

国内碳化硅（SiC）长晶炉供应商10强艾邦半导体网

2024年7月4日目前国内主要的碳化硅长晶炉厂商主要分为两种类型，一是专业晶体生长设备供应商，二是碳化硅衬底厂商（采用自研/自产设备的模式），在两者共同推动下，基本实现了设备国产化。主要设备企业有：北方华创科技集团股份有限公司 () https://naura/ 北方华创科技集团股份有限公司成立于2001年9月，2010年在深

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

2022年3月22日掌握了碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺。

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

2023年9月27日 SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势：（1）耐高压： SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。（2）耐高频： SiC材料不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

2023年9月27日与传统硅器件不同，碳化硅器件不能直接制作在衬底上，需要在衬底上生长一层晶相同、质量更高的单晶薄膜 (外延层)。外延可分为1）同质外延：在导电型SiC衬底生长SiC，常用于低功率器件/射频器件/光电器件；2）异质外延：在半绝缘Sic衬底生长GaN，常用于高功率器件。外延晶体更优质可控，层厚越大，耐压越高。碳化硅晶体生

打造首款国产碳化硅生产设备，德国PVA TePla集团助力

2024年3月22日打造首款国产碳化硅生产设备，德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN

Ferrotec全球气相沉积碳化硅产品（CVDSiC) Ferrotec全球

碳化硅部件（CVDSiC）以自行研发的CVD法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的

碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份

2024年3月12日苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工

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2023年4月26日近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限，适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将

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2023年5月21日造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？中国粉体网讯碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。其中，设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。事实

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